삼성전자, 반도체 업계 첫 HKMG 공정…누설전류 잡은 차세대 서버용 D램 개발
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05.14
삼성전자, 반도체 업계 첫 HKMG 공정…누설전류 잡은 차세대 서버용 D램 개발
조미덥 기자 [email protected]
삼성전자는 25일 업계 최초로 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate·HKMG) 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB(기가바이트) DDR5 메모리 모듈(사진)을 개발했다고 밝혔다.
D램은 컴퓨터의 두뇌에 해당하는 중앙처리장치(CPU)의 연산작업을 돕는 임시기억장치다. 현재는 서버·컴퓨터에 DDR4가 많이 쓰이고 있지만 2023년엔 차세대 D램인 DDR5가 중심이 될 것으로 예상된다. DDR5는 DDR4보다 처리 속도가 2배 정도 빠르며 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있다.
반도체에는 열렸을 때 전기가 통하고, 닫혔을 때 전기가 통하지 않게 제어하는 문(Gate)이 있는데, HKMG 공정은 이 문의 메탈 소재를 더 좋은 것으로 바꿔서 문이 닫혀 있을 때 전류 누설을 막는다. 이 공정을 적용하면 이전 공정보다 전력 소모가 약 13% 감소한다. HKMG 공정은 주로 시스템반도체에서 사용하지만 삼성전자는 메모리와 시스템반도체를 모두 만들다 보니 더 빠르게 D램에 응용할 수 있었다.
삼성전자는 이번 D램 제품에 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술을 적용했다. 반도체 칩을 쌓은 후 칩 중간에 난 구멍으로 배선을 연결하는 기술로 기존에 4단까지 쌓았던 기술을 8단으로 높여 용량을 512GB로 키웠다. D램 용량이 커지면 하드디스크에 저장했다가 꺼내올 필요 없이 바로 처리할 수 있는 역량도 커지기 때문에 컴퓨터와 서버의 성능을 높일 수 있다.
이번에 개발한 D램 제품은 올해 하반기 인텔에서 DDR5와 함께 쓸 수 있는 최신 CPU를 내놓는 데 맞춰 출시될 것으로 예상된다. 삼성전자 관계자는 “차세대 DDR5 시장에서 선두 업체로서 입지를 더욱 공고히 하게 될 것으로 기대한다”고 말했다.
조미덥 기자 [email protected]
삼성전자는 25일 업계 최초로 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate·HKMG) 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB(기가바이트) DDR5 메모리 모듈(사진)을 개발했다고 밝혔다.
D램은 컴퓨터의 두뇌에 해당하는 중앙처리장치(CPU)의 연산작업을 돕는 임시기억장치다. 현재는 서버·컴퓨터에 DDR4가 많이 쓰이고 있지만 2023년엔 차세대 D램인 DDR5가 중심이 될 것으로 예상된다. DDR5는 DDR4보다 처리 속도가 2배 정도 빠르며 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있다.
반도체에는 열렸을 때 전기가 통하고, 닫혔을 때 전기가 통하지 않게 제어하는 문(Gate)이 있는데, HKMG 공정은 이 문의 메탈 소재를 더 좋은 것으로 바꿔서 문이 닫혀 있을 때 전류 누설을 막는다. 이 공정을 적용하면 이전 공정보다 전력 소모가 약 13% 감소한다. HKMG 공정은 주로 시스템반도체에서 사용하지만 삼성전자는 메모리와 시스템반도체를 모두 만들다 보니 더 빠르게 D램에 응용할 수 있었다.
삼성전자는 이번 D램 제품에 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술을 적용했다. 반도체 칩을 쌓은 후 칩 중간에 난 구멍으로 배선을 연결하는 기술로 기존에 4단까지 쌓았던 기술을 8단으로 높여 용량을 512GB로 키웠다. D램 용량이 커지면 하드디스크에 저장했다가 꺼내올 필요 없이 바로 처리할 수 있는 역량도 커지기 때문에 컴퓨터와 서버의 성능을 높일 수 있다.
이번에 개발한 D램 제품은 올해 하반기 인텔에서 DDR5와 함께 쓸 수 있는 최신 CPU를 내놓는 데 맞춰 출시될 것으로 예상된다. 삼성전자 관계자는 “차세대 DDR5 시장에서 선두 업체로서 입지를 더욱 공고히 하게 될 것으로 기대한다”고 말했다.
